什么是静态功耗 什么是静态功耗和动态功耗
摘要：什么是静态功耗，什么是静态功耗和动态功耗，这篇文章会根据此核心进行展开介绍，作者结合网络搜集聚合了关于什么是静态功耗的信息，方便大家作参考，对于什么是静态功耗和动态功耗的内容，大家也要做好自己的判断。
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晶体管功耗分为哪两部分
晶体管运算时功耗可以分为三部分：电平转换功耗（动态功耗），内部功耗和静态漏电功耗。
晶体管的功耗包括静态功耗及动态功耗两部分。
内部功耗主要由两个部分组成：短路电流：CMOS管翻转过程中，pMOS和nMOS同时导通产生的电流，大小与输入信号slew和晶体管负载有关。输入端口电流：晶体管输入发生翻转，但是输出来改变，但此时输入信号翻转仍会导致内部产生功耗。
功耗一般分两种：来自开关的动态功耗，和来自漏电的静态功耗。而动态功耗又可分为电容充放电，还有当P/N MOS 同时打开形成的瞬间短路电流。
按功率分：小功率：功率在1W以下 中功率：1-10W；大功率：10W以上。
开关电源静态功耗
AC/DC变换器中，一般测试点在115Vac，230Vac。一般空载损耗可以做到100mW以下。欧洲2013的能源之星标准是：输出0.25W，输入功率小于0.5W。而美国的能源之星标准是：输出0.5W时，输入功率小于1W。
如果开关电源带有待机功能的话，按国际标准，空载时功耗不得超过1W。
会耗电。开关电源500w是指电源能够输出的最大功率是500瓦或者说带动的电器设备总功率不能超过500瓦。没有负载的时候耗电很小，几乎可以忽略不计。
随着全球对能源问题的重视，电子产品的耗能问题将愈来愈突出，如何降低其待机功耗，提高供电效率成为一个急待解决的问题。
数字电路中的功耗有哪几种?
动态功耗 动态功耗包括：开关功耗或称为反转功耗、短路功耗或者称为内部功耗；开关功耗：电路在开关过程中对输出节点的负载电容充放电所消耗的功耗。
第一部分是开关电流产生的动态功耗；第二部分是动态情况下P管和N管同时导通时的短路电流产生的动态功耗。
三种。在rlc串联电路中功率有三种，分别是有功功率、无功功率和视在功率，有功功率是电路中只有电阻R消耗电能，无功功率是由电感L的无功功率和电容C的无功功率两部分组成的，视在功率是电源向电路提供的总电能。
）．74系列——为TTL集成电路的早期产品，属中速TTL器件。其典型电路与非门的平均传输时间tpd＝10ns，平均功耗P＝10mW。2）．74L系列——为低功耗TTL系列，又称LTTL系列。3）．74H系列——为高速TTL系列。
cell的静态功耗不受工作频率影响
不考虑信号变化的功耗。它主要由漏电流引起，与电路中的晶体管的导通状态有关。当工作频率增加时，晶体管的开关速度也会增加，导致漏电流增加，进而导致静态功耗增加。
受。根据查询百度百科信息显示，cell的静态功耗是受工作频率影响的，但是与芯片的工作频率和负载无关。静态功耗是指漏电流功耗，是电路状态稳定时的功耗，其数量级很小，指电路处于等待或不激活状态时泄漏电流所产生的功耗。
动态功耗包括：负载电容充放电所消耗的功率Pc和PMOS、NMOS同时导通所消耗的瞬时导通功耗PT。在工作频率较高的情况下，CMOS反相器的动态功耗要比静态功耗大得多，静态功耗可以忽略不计。
第一部分是开关电流产生的动态功耗；第二部分是动态情况下P管和N管同时导通时的短路电流产生的动态功耗。
由于电路频率的降低意味着电路工作性能的下降，从而在保证性能的前提下，减小不必要的信号跳变频率就成了减小动态功耗的切入点。这种要求产生了动态电压与频率调节(DVFS)技术。
我们知道，目前X86处理器的频率最高纪录是8GHz，由Intel波塞冬核心的Pentium 4 E所创下，本来Intel计划让它的频率突破4GHz，但受到高功耗和稳定性方面的困扰，不得不宣告失败，要更进一步提升频率也被业界认为难以实现。
静态耗电量原理是什么?
扩散区和衬底形成二极管的反偏电流，另外一类是关断晶体管中通过栅氧的电流。芯片的漏电会随温度变化，所以当芯片发热时，静态功耗指数上升。另外漏电流也会随特征尺寸减少而增加。
由于蓄电池采用了铅钙合金做栅架，所以充电时产生的水分解量少，水分蒸发量也低，加上外壳采用密封结构，释放出来的硫酸气体也很少，所以它与传统蓄电池相比，具有不需添加任何液体，对接线桩头，电量储存时间长等优点 。
动态晃动越快越耗电。尤其是屏幕亮着不用的时候，耗电量最大。拿差一点的手机来说，开了动态图就感觉有点卡，说明动态图需要gpu运算，静态图就不会。所以就比较费电。
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